RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 104
    周辺 -126% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2396

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM