RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 11.2
    テスト平均値
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB 考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 104
    周辺 -215% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 2,404.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 11.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2284

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
メモリRAM