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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.2
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
104
周辺 -352% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
23
読み出し速度、GB/s
3,192.0
16.2
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
8.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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