Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

総合得点
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 104
    周辺 -160% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    786 left arrow 2709
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