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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
11.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
104
周辺 -333% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
24
読み出し速度、GB/s
3,192.0
14.1
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
11.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
2879
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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