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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
総合得点
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
75
周辺 -127% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.6
2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
2,072.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
33
読み出し速度、GB/s
2,730.3
9.6
書き込み速度、GB/秒
2,072.7
8.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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