Porównanie pamięci RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

33 75

Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

9.6 2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.6 2,072.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

858 2286

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns