RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.3
    テスト平均値
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 65
    周辺 -124% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 1,574.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,858.9 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,574.4 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    607 left arrow 3294

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
メモリRAM