RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.6
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 73
    周辺 -181% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 1,423.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 3406

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAMの比較

Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
メモリRAM