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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比較する
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
73
74
周辺 1% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
74
読み出し速度、GB/s
3,510.5
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
7.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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