RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
74
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1616
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link