RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
74
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1616
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link