RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.5
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1983
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link