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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
4,937.3
13.8
写入速度,GB/s
2,061.2
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1983
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
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