RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.5
2,061.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
1983
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link