RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.8
    テスト平均値
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 69
    周辺 -130% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 3254

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
UMAX Technology 16GB
UMAX Technology 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM