RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3254
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link