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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
3,325.1
16.8
写入速度,GB/s
1,441.2
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3254
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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