RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston K1CXP8-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15
    テスト平均値
Kingston K1CXP8-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 69
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 11.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 2790

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
メモリRAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM