RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.4
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 68
    周辺 -106% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 1,702.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    68 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    3,886.6 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,702.6 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    654 left arrow 2674

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAMの比較

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB RAMの比較

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
メモリRAM