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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
68
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
33
读取速度,GB/s
3,886.6
15.4
写入速度,GB/s
1,702.6
10.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2674
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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