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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
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Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 4.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66% 高帯域
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 39
    周辺 -22% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 9.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.5 left arrow 4.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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