Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
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Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB

Unterschiede

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 9.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 4.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 39
    Rund um -22% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 9.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 4.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2264 left arrow 1265
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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