RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 38
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    24.1 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 24.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 4001

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
メモリRAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
メモリRAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
メモリRAM