RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4001
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link