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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2072 left arrow 3004

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Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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InnoDisk Corporation 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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