RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3004
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link