RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
54
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
18
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3814
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link