Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 54

Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.4 9.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.2 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 18
Скорость чтения, Гб/сек

9.2 20.4
Скорость записи, Гб/сек

8.1 17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2105 3814

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

Kingston 9965684-005.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM