RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3311
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link