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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
45
周辺 -55% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.3
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
29
読み出し速度、GB/s
12.0
13.3
書き込み速度、GB/秒
7.8
10.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1939
2442
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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