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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.0
13.3
写入速度,GB/s
7.8
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2442
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
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