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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 44
    周辺 -76% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 13
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2069 left arrow 3419

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