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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
InnoDisk Corporation 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
8.9
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
48
周辺 -26% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
38
読み出し速度、GB/s
8.9
7.7
書き込み速度、GB/秒
5.9
8.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
2163
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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