Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против InnoDisk Corporation 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

8.9 7.7

Среднее значение в тестах

InnoDisk Corporation 16GB

Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 48

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 38
Скорость чтения, Гб/сек

8.9 7.7
Скорость записи, Гб/сек

5.9 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1420 2163

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

INTENSO 5641160 8GB

INTENSO 5641160 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB

модули RAM