RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 48
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 10.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 2374

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
メモリRAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
メモリRAM