RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
48
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
44
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
10.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2374
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link