RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
48
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
44
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
2374
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link