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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
48
周辺 -60% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
48
30
読み出し速度、GB/s
8.9
15.5
書き込み速度、GB/秒
5.9
13.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1420
3132
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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