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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
15.5
写入速度,GB/s
5.9
13.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3132
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Super Talent F21UB8GS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
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