RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3132
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905295-081.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link