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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
比較する
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
総合得点
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
総合得点
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
13.3
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
41
周辺 -32% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
31
読み出し速度、GB/s
13.3
11.7
書き込み速度、GB/秒
9.0
7.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2016
1997
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
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