RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
1997
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link