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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.9
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 41
    周辺 -37% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2016 left arrow 1992

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