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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
40
周辺 -122% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.6
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.5
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
18
読み出し速度、GB/s
12.3
21.6
書き込み速度、GB/秒
8.9
16.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
3889
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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