RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
比較する
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
38
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.9
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
38
読み出し速度、GB/s
10.6
12.9
書き込み速度、GB/秒
6.8
9.9
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1479
2687
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link