RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2687
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link