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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
30
周辺 -43% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.1
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
21
読み出し速度、GB/s
10.6
19.1
書き込み速度、GB/秒
6.8
14.5
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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