Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    21 left arrow 30
    Wokół strony -43% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19.1 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.5 left arrow 6.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 8500
    Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    30 left arrow 21
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.6 left arrow 19.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    6.8 left arrow 14.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1479 left arrow 3427
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania