RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3034
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link